[发明专利]硅石和硅石基淤浆无效
| 申请号： | 200610091255.9 | 申请日： | 2002-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1881540A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | S·D·赫尔灵;C·P·麦克卡恩;S·V·巴布;李玉琢;N·萨缇施 | 申请（专利权）人： | PPG工业俄亥俄公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09G1/02;C01B33/12;C01B33/193 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种淤浆组合物用于的化学机械平面化衬底的用途，所述淤浆组合物包含硅石，所述硅石包含一次颗粒的聚集体，其中所述硅石的BET/CTAB比率大于1。 | ||
| 搜索关键词： | 硅石 基淤浆 | ||
【主权项】：
1.一种淤浆组合物用于的化学机械平面化衬底的用途，所述淤浆组合物包含硅石，所述硅石包含一次颗粒的聚集体，其中所述硅石的BET/CTAB比率大于1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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