[发明专利]用于形成第Ⅲ主族氮化物半导体层的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 200610091279.4 | 申请日： | 2002-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1870221A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 笹冈千秋 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/04;H01L33/00;H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种形成部分蚀刻的基于氮化物半导体晶体层的方法，包括以下步骤，形成一个基于氮化物半导体的非晶体层。在部分蚀刻的非晶体层被结晶之前，蚀刻至少一部分非晶体层以形成一部分蚀刻的非晶体层，从而形成部分蚀刻的基于氮化物的半导体晶体层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 氮化物 半导体 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成基于氮化合物的半导体多层结构的方法，该方法包括步骤：在一个基底层上形成基于氮化合物半导体的非晶体层；至少在所述非晶体层上或在所述非晶体层中有氧气存在；选择地蚀刻所述非晶体层以形成至少一个开口，借此形成部分蚀刻的非晶体层；和在存在氧气时结晶所述部分蚀刻的非晶体层，以便形成部分蚀刻的基于氮化合物的半导体晶体层，以及允许氧气的存在来抑制所述基于氮化合物半导体的至少一种类型的原子的质量交换；其中，所述部分蚀刻的基于氮化合物的半导体晶体层的一氧引入区域具有至少为8E18cm-3的氧浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
