[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610091292.X | 申请日： | 2006-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1881572A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 森田佑一;石部真三;野间崇;大塚久夫;高尾幸弘;金森宽 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；覆盖该焊盘电极(4)的端部并在上述焊盘电极(4)之上具有第一开口部(6)的第一钝化膜(5)；经由上述第一开口部(6)而形成在上述焊盘电极(4)之上的镀敷层(7)；覆盖上述第一钝化膜(5)的端和上述镀敷层(7)之间的上述焊盘电极(4)的露出部(8)且进而覆盖上述镀敷层(7)的端部并在上述镀敷层(7)上具有第二开口部(10)的第二钝化膜(9)；经由第二开口部(10)而形成在上述镀敷层(7)上的导电端子(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：焊盘电极，其形成在半导体衬底上；第一钝化膜，其覆盖上述焊盘电极的端部，并在上述焊盘电极之上具有第一开口部；镀敷层，其经由上述第一开口部而形成在上述焊盘电极之上；第二钝化膜，其覆盖上述第一钝化膜的端部和上述镀敷层之间的上述焊盘电极的露出部，进而覆盖上述镀敷层的端部，并在上述镀敷层之上具有第二开口部；导电端子，其经由上述第二开口部形成在上述镀敷层之上。
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