[发明专利]掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途无效

专利信息
申请号: 200610091468.1 申请日: 2006-06-13
公开(公告)号: CN101089242A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 王国富;赵丹;林州斌;张莉珍 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B15/00;H01S3/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途,涉及人工晶体领域。采用提拉法(Czochralski方法)生长,生长条件为:生长温度1410℃,晶体转速15~20转/分钟,拉速1.5~3毫米/小时。该晶体属于立方晶系,空间群为Fm3m,单胞参数为a=8.059,Z=4,单胞体积为V=523.413。该晶体是一种新型的激光晶体,可产生1.06μm左右波长的激光输出,并有望获得实际应用。
搜索关键词: 掺钕钨酸锂镧钡 激光 晶体 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
1.一种掺钕钨酸锂镧钡激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Nd3+:BaLaLiWO6,属于立方晶系,空间群为Fm3m,单胞参数:a=8.059,Z=4,V=523.413,Nd3+离子掺杂浓度在0.5at-15at%之间。
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