[发明专利]双镶嵌结构、内连结构及其制造方法

摘要

本发明关于一种内连结构及其制造方法，上述内连结构包括：基底，其内设置有导电构件；复合低介电常数介电层，位于该基底上，其内设置有至少一个应力调和层；以及导电物，位于该复合低介电常数介电层内，通过该应力调和层并电连接于该导电构件。本发明亦关于一种双镶嵌结构。本发明调和了内连结构的整体应力，避免了可能发生于如双镶嵌结构的内连结构内的不良情形，可得到较佳可靠度的内连结构；另外，内连结构的导电物的顶面可通过导电上盖层所包覆以减少蚀刻停止层的使用，因而可确保内连结构的如电致迁移的可靠度表现。另外，不采用有蚀刻停止层的内连结构制造工艺可更为简化且降低其制造成本。

主权项

1.一种内连结构的制造方法，包括下列步骤：提供基底，其内设置有导电构件；在该基底上形成复合低介电常数介电层，其内设置有至少一个应力调和层；在该复合低介电常数介电层内形成开口，该开口通过该应力调和层并露出该导电构件的一部分；以及在该开口内填入导电材料，形成电连接于该导电构件的导电物。