[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效
申请号: | 200610091562.7 | 申请日: | 2006-06-12 |
公开(公告)号: | CN1992291A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | 郑志炫 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/133 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 薄膜晶体管基板及其制造方法。公开了一种薄膜晶体管基板及其制造方法,包括用于将与选通线的点亮检查时使用的选通短路条连接的选通短路线划分成奇选通短路线和偶选通短路线的开孔。在薄膜晶体管基板中,在基板上形成选通线。数据线与选通线交叉,二者之间具有栅绝缘膜。在选通线与数据线的交叉处形成薄膜晶体管。在栅绝缘膜上形成用于覆盖薄膜晶体管的保护膜。像素电极经由穿过保护膜的接触孔,连接到薄膜晶体管。选通短路条连接到从与选通线连接的选通焊盘延伸出的奇选通短路线和偶选通短路线。开孔使得奇选通短路线和偶选通短路线中的一个与选通短路条断开。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管基板,包括:形成在基板上的选通线;与选通线交叉的数据线,并且二者之间具有栅绝缘膜;形成在选通线与数据线的交叉处的薄膜晶体管;用于覆盖形成在栅绝缘膜上的薄膜晶体管的保护膜;经由穿过保护膜的接触孔连接到薄膜晶体管的像素电极;与从连接到选通线的选通焊盘延伸出的奇选通短路线和偶选通短路线连接的选通短路条;以及用于使奇选通短路线和偶选通短路线中的一个与选通短路条断开的开孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的