[发明专利]制造闪存器件的方法

摘要

一种制造存储器件的方法，包括形成第一和第二栅极堆叠，每个栅极堆叠具有浮置栅极和控制栅极。形成包括金属的接触塞以接触设置在第一和第二栅极堆叠之间的掺杂区。第一绝缘层形成在接触塞之上。双用层形成在第一绝缘层之上，该双用层充当抗反射涂层和蚀刻停止层。第二绝缘层形成在双用层之上。图案化光致抗蚀剂层形成在第二绝缘层之上，该图案化光致抗蚀剂层定义位于接触塞上面的开口。第二绝缘层利用图案化光致抗蚀剂层被蚀刻，使得设置在图案化光致抗蚀剂的开口下方的部分第二绝缘层被蚀刻从而形成槽。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成金属接触塞，接触设置在两栅极结构之间的掺杂区域；在该金属接触塞和该栅极结构之上形成抗反射和蚀刻停止层；在该抗反射和蚀刻停止层之上形成绝缘层；在该绝缘层之上设置图案化光致抗蚀剂层，该图案化光致抗蚀剂层定义位于该金属接触塞上方的开口；以及利用该图案化光致抗蚀剂作为掩模蚀刻该绝缘层和该抗反射和蚀刻停止层从而形成该金属接触塞上面的槽。