[发明专利]固体摄像器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610091709.2 | 申请日： | 2006-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1877867A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 山口琢己;村田隆彦;春日繁孝 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/0232;H01L31/18;H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种实现大幅度改善灵敏度的小型固体摄像器件，其具有：半导体衬底(11)，形成有多个光电变换部(17)；遮光膜(19)，位于光电变换部(17)上方，具有对应每个光电变换部(17)设置的多个开口部(20)，形成在半导体衬底(11)上；以及高折射率层(125)，形成在开口部(20)内；开口部(20)的开口宽度比射入光电变换部(17)的光的换算成真空中波长的最大波长小，高折射率层(125)由高折射率材料构成，该高折射率材料具有通过开口部(20)使最大波长的光透过的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种固体摄像器件，其特征在于，具有：半导体衬底；光电变换部，形成在上述半导体衬底上；遮光膜，设有位于上述光电变换部上方而形成的开口部，设置在上述半导体衬底上；以及高折射率层，形成在上述开口部内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
