[发明专利]具有2层绝缘层的隧道型磁性检测元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610091710.5 | 申请日： | 2006-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1881417A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 佐藤清 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种既能够适当保持与硬偏置层的绝缘性、又能够对自由磁性层供给适当大小的偏置磁场的磁性检测元件及其制造方法。将在层叠体(22)的侧端面(22a)上形成的第1绝缘层的厚度(T3)形成为比在下部屏蔽层(20)上形成的第2绝缘层(26)的膜厚(T4)薄。由此，就能够从硬偏置层(36)对自由磁性层(28)供给适当大小的偏置磁场。此外，还能够良好地保持上述硬偏置层(36)和上述层叠体(22)之间的绝缘性以及上述硬偏置层(36)和上述下部屏蔽层(20)之间的绝缘性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘 隧道 磁性 检测 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁性检测元件，其特征在于，包括：在导电层上形成且具有从下起依次层叠了固定磁性层、非磁性材料层及自由磁性层的结构的层叠体；在上述层叠体的磁路宽度方向的两侧形成的第1绝缘层；与在上述导电层上形成的上述第1绝缘层相连的第2绝缘层；以及在上述第1绝缘层上及第2绝缘层上形成的偏置层，将上述第1绝缘层在磁路宽度方向上的厚度形成为比上述第2绝缘层的膜厚薄。
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