[发明专利]形成存储单元阵列的方法和存储单元阵列无效
| 申请号： | 200610091804.2 | 申请日： | 2006-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1877820A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | R·韦斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本案揭露一种形成存储单元阵列的方法，该存储单元包括多数存储单元，各存储单元都包含一沟渠电容器与一晶体管。在一实施例中，於定义该绝缘沟渠与对应有源区之後形成该晶体管的期间，提供一栅极，其包括在该绝缘沟渠中邻近一沟道的部分蚀刻一隔离材料，使得该沟道的一部分成为未覆盖，该未覆盖部分具有一种包含一顶部侧与两侧向侧的脊形状，在该顶部侧与两侧向侧上提供一栅极隔离层，在该栅极隔离层上提供一传导材料，使得该栅极是沿著该沟道的顶部侧与两侧向侧上设置，其中在该绝缘沟渠中隔离材料蚀刻是利用局部蚀刻该隔离材料的方式执行，其中在该隔离沟槽上方部分中的隔离材料乃加以主动维持，而该隔离沟槽则将有源区彼此分离。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 存储 单元 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成存储单元阵列的方法，包括：定义该存储单元阵列以包含多个存储单元，各存储单元包含一沟渠电容器与一晶体管：以及在定义绝缘沟渠之後形成该晶体管的期间，形成一栅极，包括：在该绝缘沟渠中邻近一沟道的部分蚀刻一隔离材料，使得该沟道的一部分成为未覆盖，该未覆盖部分具有一种包含一顶部侧与两侧向侧的脊形状；在该顶部侧与两侧向侧上提供一栅极隔离层；在所配置的该栅极隔离层上提供一传导材料，使得该栅极是沿著该沟道的顶部侧与两侧向侧上设置，其中在该绝缘沟渠中该隔离材料的蚀刻是利用局部蚀刻该隔离材料的方式执行，其中在隔离沟槽的上方部分中将有源区彼此分离的隔离材料乃加以维持。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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