[发明专利]制造发光二极管的方法无效
| 申请号： | 200610091821.6 | 申请日： | 2006-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1870312A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 林时钟 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造发光二极管的方法，其中激光剥离(LLO)层和外延层形成于氮化物半导体衬底上，然后通过激光剥离工艺分离氮化物半导体衬底，由此提高了外延层的特性，并能够制造高品质且高效率的发光二极管。而且，由此分离的LLO层使用激光束来移除，以便重新使用相对昂贵的氮化物半导体衬底，由此降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造发光二极管的方法，包括：形成激光剥离(LLO)层，该激光剥离(LLO)层将通过在衬底上照射的激光束来移除的；在LLO层上形成具有第一极性的第一层、有源层和具有与第一极性相反的极性的第二层；和通过将激光经由衬底照射到LLO层上来移除LLO层，以分离衬底。
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