[发明专利]硅氧化膜的形成方法、硅氧化膜的形成装置和程序

摘要

在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氯置换用气体的第二处理气体和含有氧化气体的第三处理气体的处理区域内，利用CVD在被处理基板上形成硅氧化膜。该成膜方法交替地具有第一～第六工序。在第一、第三和第五工序中，分别供给第一、第二和第三处理气体，停止其它2种处理气体的供给。在第二、第四和第六工序中，停止第一、第二和第三处理气体的供给。上述第三和第五工序分别具有将上述第二和第三处理气体在由激发机构激发的状态下供给上述处理区域的激发期间。

主权项

1.一种半导体处理用的成膜方法，在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氯置换用气体的第二处理气体和含有氧化气体的第三处理气体的处理区域内，利用CVD在被处理基板上形成硅氧化膜，其特征在于：按照以下的顺序，交替地具有下列工序：向所述处理区域供给所述第一处理气体，另一方面，停止向所述处理区域供给所述第二和第三处理气体的第一工序；停止向所述处理区域供给第一、第二和第三处理气体的第二工序；向所述处理区域供给所述第二处理气体，另一方面，停止向所述处理区域供给所述第一和第三处理气体的第三工序，所述第三工序具有将所述第二处理气体在由激发机构激发的状态下供给所述处理区域的激发期间；停止向所述处理区域供给第一、第二和第三处理气体的第四工序；向所述处理区域供给所述第三处理气体，另一方面，停止向所述处理区域供给所述第一和第二处理气体的第五工序，所述第五工序具有将所述第三处理气体在由激发机构激发的状态下供给所述处理区域的激发期间；和停止向所述处理区域供给第一、第二和第三处理气体的第六工序。