[发明专利]半导体激光装置无效
| 申请号： | 200610092300.2 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101090195A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 宣融;黄尧琳;余昱辰;朱彦 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/0625;H01S5/065;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体激光装置，该半导体激光装置包括：具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面的基板；形成于该基板第二表面的主动区；形成于该主动区上的披覆层，且该披覆层中形成有至少一电性绝缘区，以在该基板第二表面上形成尺寸不同的第一激光区及第二激光区；其中，当在该半导体激光装置上施加电源时，该第一及第二激光区中分别产生不同激光模态间隙的光频谱，并在光频谱耦合后产生单模激光。本发明的半导体激光装置可产生波长可调变的单模激光，从而可简化制程，提升制程良率及制程成本，同时可避免现有技术中由于采用表面粘装制程引起的第一及第二激光区在基板上对位精度低、无法产生波长调变效果等缺失。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，其特征在于，该半导体激光装置包括：具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面的基板；形成于该基板第二表面的主动区；形成于该主动区上的披覆层(cladding layer)，且该披覆层中形成有至少一电性绝缘区，以在该基板第二表面上形成尺寸不同的第一激光区及第二激光区；以及其中，当在该半导体激光装置上施加电源时，该第一及第二激光区中分别产生不同激光模态间隙(channel space)的光频谱，并在光频谱耦合后产生单模激光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610092300.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
