[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200610092362.3 | 申请日： | 2006-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN1877737A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 堂野千晶;越川康二 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/403 | 分类号： | G11C11/403;G11C11/406 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体器件中，内部地产生的电源电压VPP被监视。如果内部地产生的电源电压VPP低于下限电压，那么选择连续刷新作为双刷新操作模式。在连续刷新中，用于配对地址的双刷新被插入下一刷新周期中。通过连续刷新，抑制内部地产生的电源电压VPP的减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种应用双刷新的半导体器件，其中所述双刷新的双刷新操作模式根据在所述半导体器件中内部地产生的电源电压的电压电平而改变。
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