[发明专利]平面显示器的储存电容构造及其制造方法有效
| 申请号： | 200610092371.2 | 申请日： | 2002-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1873916A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 石安 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/82;H01L27/00;H01L27/02;G02F1/133 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种平面显示器的储存电容构造及其制造方法，其中该储存电容构造包含：一基板；一下电极，形成于该基板的上方，该下电极的材质为经掺杂的异质半导体；一绝缘层，形成于该下电极的表面上；以及一上电极，形成于该绝缘层的表面上，该上电极的材质是经掺杂的异质半导体。该储存电容构造制造方法包含下列步骤：提供一基板；于该基板的上方形成一下电极，该下电极的材质为半导体；于该下电极的表面上形成一绝缘层；于该绝缘层的表面上形成一上电极，该上电极的材质为半导体；通过该上电极而对该下电极进行一第一掺质植入动作，以改善该下电极的导电能力；以及对该上电极进行一第二掺质植入动作，以改善该上电极的导电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 显示器 储存 电容 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种平面显示器的储存电容构造制造方法，其包含下列步骤：提供一基板；于该基板的上方形成一下电极，该下电极的材质为半导体；于该下电极的表面上形成一绝缘层；于该绝缘层的表面上形成一上电极，该上电极的材质为半导体；通过该上电极而对该下电极进行一第一掺质植入动作，以改善该下电极的导电能力；以及对该上电极进行一第二掺质植入动作，以改善该上电极的导电能力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于统宝光电股份有限公司，未经统宝光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610092371.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可使用次级内存的内存控制器及其操作方法
- 下一篇：高强度阻燃抗静电聚乙烯管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
