[发明专利]混合式化学机械抛光工艺的线上控制方法无效
| 申请号： | 200610092381.6 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101081488A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 朱辛堃;陈彦竹;蔡腾群;陈佳禧 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B51/00 | 分类号： | B24B51/00;B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种混合式化学机械抛光工艺的线上控制方法，首先提供一混合式化学机械抛光系统，包含第一抛光平台及第二抛光平台，分别为不同类型研磨抛光垫。提供一批次的待抛光产品晶片，其上已形成图案化结构，及第一介电层沉积在该图案化结构及第二介电层上。依序在该第一抛光平台上抛光该批次中至少3片的先行产品晶片，线上进行该先行产品晶片上剩余介电层厚度的量测，建立起一线性的抛光速率表，再依据该抛光速率表，依序在该第一抛光平台上抛光该批次中剩下的产品晶片，将该第一介电层厚度抛光至目标厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 混合式 化学 机械抛光 工艺 线上 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种混合式化学机械抛光工艺的线上控制方法，包括以下的步骤：提供混合式化学机械抛光系统，包括至少一第一抛光平台以及一第二抛光平台，其中该第一抛光平台以及该第二抛光平台上分别设有不同类型的研磨抛光垫；提供一批次的待抛光产品晶片，其中各该待抛光产品晶片上皆已形成有图案化结构，以及第一介电层沉积在该图案化结构以及第二介电层上；依序在该第一抛光平台上抛光该批次的待抛光产品晶片中的至少3片的先行产品晶片，分别去除各该先行产品晶片上面不同厚度的该第一介电层；线上进行各该先行产品晶片上剩余介电层厚度的量测，并针对该第一抛光平台上的研磨抛光垫构成相对应的抛光厚度对抛光时间的作图，建立起线性的抛光速率表；以及依据该先行产品晶片所建立起来的该抛光速率表，依序在该第一抛光平台上抛光该批次中剩下的产品晶片，将剩下的各该产品晶片上的该第一介电层厚度抛光控制在预定的目标厚度。
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