[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200610092395.8 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1877814A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李培瑛 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8242;H01L21/768;H01L27/02;H01L27/108;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件的制造方法，其包括：提供一基底，其中所述基底具有嵌壁式栅极(recessed gates)与在基底中的深沟槽电容元件，其暴露出嵌壁式栅极的突出部(protrusions)与深沟槽电容元件的上部(upper portions)，且在该上部及突出部的侧壁上形成间隙壁，并在间隙壁之间的间隙形成由导电材料组成的埋入层(buried portions)，另对基底、间隙壁、及埋入层进行图案化以形成平行的浅沟槽结构进而定义有源区，以及在浅沟槽结构内形成介电材料层，而其中部分埋入层可作为埋入插塞(buried contacts)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件的制造方法，包括：提供基底，其具有嵌壁式栅极与深沟槽电容元件，其中所述嵌壁式栅极的突出部与深沟槽电容元件的上部露出于所述基底；在所述上部及所述突出部的侧壁形成间隙壁；在所述间隙壁之间的间隙形成由导电材料构成的多个埋入层；对所述基底、所述间隙壁、及所述些埋入层进行图案化以形成平行的浅沟槽结构进而定义出有源区；以及在所述浅沟槽结构内形成介电材料层，其中一些埋入层作为埋入插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
