[发明专利]磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置、以及磁存储器有效
| 申请号： | 200610092406.2 | 申请日： | 2006-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1870140A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 福泽英明;汤浅裕美;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 黄依文 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的磁阻效应元件，包括：3层或以上的金属磁性层；所述3层或以上的金属磁性层间设置的连接层；以及使电流相对于所述金属磁性层和连接层的迭层体在垂直方向上导通的电极，所述3层或以上的金属磁性层当中最底层或最顶层的金属磁性层的磁化方向被固定，外部磁场为零时，中间的金属磁性层的磁化方向扭转，以便最底层的金属磁性层的磁化方向与最顶层的金属磁性层的磁化方向基本上正交。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 磁头 记录 再生 装置 以及 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：3层或以上的金属磁性层；所述金属磁性层间设置的连接层；以及使电流相对于所述金属磁性层和连接层的迭层体在垂直方向上导通的电极，所述金属磁性层当中最底层或最顶层的金属磁性层的磁化方向被固定，外部磁场为零时，中间的金属磁性层的磁化方向扭转，以便最底层的金属磁性层的磁化方向与最顶层的金属磁性层的磁化方向基本上正交。
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