[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种半导体器件及其制造方法，能够分别在具有多金属结构和双栅极结构的栅电极的半导体器件中，防止硅化物层中杂质的扩散，并能够减小N型多金属栅电极和P型多金属栅电极的表面电阻。P型多金属栅电极包括：包含P型杂质的P型硅层；形成在P型硅层上的硅化物层，所述硅化物层具有沿实质上与半导体衬底的表面平行的方向不连续地设置的多个硅化物颗粒；在暴露于硅化物层的不连续部分上的P型硅层的表面上以及硅化物层的表面上连续形成的硅膜；形成在硅膜上的第二金属氮化物层；以及形成在金属氮化物层上的金属层。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有N沟道晶体管形成区域和P沟道晶体管形成区域；设置在半导体衬底的N沟道晶体管形成区域上的第一栅电极；以及设置在半导体衬底的P沟道晶体管形成区域上的第二栅电极，其中，第一栅电极包括：包含N型杂质的N型硅层；形成在N型硅层上的第一硅化物层；形成在第一硅化物层上的第一硅膜；形成在第一硅膜上的第一金属氮化物层和形成在第一金属氮化物层上的第一金属层，以及第二栅电极包括：包含P型杂质的P型硅层；形成在P型硅层上的第二硅化物层，所述第二硅化物层具有沿实质上与半导体衬底的表面平行的方向不连续地设置的多个硅化物颗粒；第二硅膜，连续地形成在暴露于第二硅化物层的不连续部分上的P型硅层的表面上以及第二硅化物层的表面上；形成在第二硅膜上的第二金属氮化物层；以及形成在第二金属氮化物层上的第二金属层。