[发明专利]形成方法以及包含钌和包含钨层的集成电路结构有效
| 申请号： | 200610092516.9 | 申请日： | 2001-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1873917A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 维什努·K·阿加瓦尔;加罗·戴德里安;居尔吉·S·桑德赫;李卫民;马克·维索凯;杰姆·巴斯卡里;萨姆·扬 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/82;H01L27/02;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有增加电容的电容器，包括一个增强表面面积(粗糙表面的)导电层或与高电介质常数材料兼容的其他的层。在一种方法中，形成对于该电容器的一个增强表面面积的导电层，通过在500℃以上的高温和75托或以下的低压来处理一个钌氧化物层，最好在5托或以下，以产生具有织纹表面的粗糙的钌层，其具有至少大约100埃的平均特性尺寸。通过化学汽相沉积技术或溅射技术等等可以提供初始钌氧化物层，可以在一个下导电层的上方形成层。该处理可以在一个惰性环境中或在一个还原环境中执行。整个处理过程中或之后可以使用一个氮提供环境或者氮提供还原环境来钝化钌以便提高与高电介质常数电介质材料的兼容性。也可以执行一个氧化环境中的处理以钝化粗糙的层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 以及 包含 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成电容器的方法，该方法包括：形成包含钨氮化物的第一导电层；在第一导电层上形成电介质材料层；和在电介质材料层上形成第二导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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