[发明专利]光刻胶单体及其聚合物以及包含该光刻胶聚合物的光刻胶组合物无效
申请号: | 200610092645.8 | 申请日: | 2006-06-26 |
公开(公告)号: | CN1885161A | 公开(公告)日: | 2006-12-27 |
发明(设计)人: | 李正烈;李载禹;金宰贤 | 申请(专利权)人: | 株式会社东进世美肯 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/20;G03F7/30 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王达佐;韩克飞 |
地址: | 韩国仁*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了包含右式所示的单体的聚合物以及包含该聚合物的光刻胶组合物。由于所述包含饱和环烃基的醇酯基团脱保护反应的活化能较低,因此该聚合物和光刻胶组合物可以改进分辨率和工艺裕度,并且由于其具有稳定的PEB(曝光后烘焙)温度敏感性,因此可产生精细的光刻胶图案,并改进光刻胶层的聚焦深度裕度和线条边缘粗糙度。在通式中,R*为氢或甲基,R1为具有1至5个碳原子的饱和烃基,R为具有3至50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或杂多环烃基,以及n为至少等于2的整数。 | ||
搜索关键词: | 光刻 单体 及其 聚合物 以及 包含 组合 | ||
【主权项】:
1.通式1所示的单体,[通式1]
其中R*为氢或甲基,R1为具有1至5个碳原子的饱和烃基,R为具有3至50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或杂多环烃基,以及n为至少等于2的整数。
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