[发明专利]具有金属绝缘体转换膜电阻器的半导体存储器件有效
| 申请号： | 200610092684.8 | 申请日： | 2006-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1949391A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 玄在雄;柳寅儆;朴允童;赵重来;赵成逸 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储设备，其具有低漏电流和高可靠性，例如长保持时间和短更新时间。所述装置包括开关装置和电容器。开关装置的源极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的一端，而电容器的一个电极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的另一端。这里，所述金属绝缘体转换膜电阻器根据施加到其两端的电压在绝缘体和导体之间转换。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 绝缘体 转换 电阻器 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：包括栅极、源极和漏极的开关装置；电连接到所述开关装置栅极的字线；电连接到所述开关装置漏极的位线；金属绝缘体转换膜电阻器，具有连接到所述开关元件漏极的一端，并且根据施加到其两端的电压在绝缘体和导体之间转换；和电容器，包括电极对来存储电荷，并且所述电极对的任一电极连接到所述金属绝缘体转换膜电阻器的另一端。
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