[发明专利]半导体装置制造方法、半导体装置、电路基板及电子设备有效
| 申请号： | 200610092747.X | 申请日： | 2006-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1881530A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 深泽元彦 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/78;H01L21/301 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，准备具有有源面、和与所述有源面相反的一侧的背面的半导体晶片，在所述半导体晶片的所述有源面形成分别具有半导体元件的多个半导体区域，在所述半导体晶片的所述有源面，在所述半导体区域的外周形成切断区域，在所述切断区域形成不贯通所述半导体晶片的第一槽部，在所述半导体晶片的所述背面，在对应于所述切断区域的位置形成不贯通到第一槽部的第二槽部，并通过对所述半导体晶片的所述背面实施各向同性蚀刻，减薄所述半导体晶片的厚度，连结所述第一槽部与所述第二槽部，并按每个所述半导体区域分割所述半导体晶片，得到被单片化的多个半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 路基 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其中，准备具有有源面、和与所述有源面相反的一侧的背面的半导体晶片，在所述半导体晶片的所述有源面形成分别具有半导体元件的多个半导体区域，在所述半导体晶片的所述有源面，在所述半导体区域的外周形成切断区域，在所述切断区域形成不贯通所述半导体晶片的第一槽部，在所述半导体晶片的所述背面，在对应于所述切断区域的位置形成不贯通到第一槽部的第二槽部，并通过对所述半导体晶片的所述背面实施各向同性蚀刻，减薄所述半导体晶片的厚度，连结所述第一槽部与所述第二槽部，并按每个所述半导体区域分割所述半导体晶片，得到被单片化的多个半导体装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
