[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610093015.2 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1874003A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 山崎靖 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 孙纪泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件具有半导体衬底、在半导体衬底中形成的槽、在槽的内壁上形成的栅极绝缘膜、在槽中形成的栅电极、以及沿着与半导体衬底的衬底表面实质上正交的方向排列的源极/漏极区域和LDD区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底中形成的槽；在槽的内壁上形成的栅极绝缘膜；栅电极，具有在槽中的栅极绝缘膜上形成的第一部分以及从半导体衬底的表面突出的第二部分；侧壁绝缘膜，用于覆盖栅电极的第二部分的侧面；外延层，形成在半导体衬底上，与侧壁绝缘膜相邻；以及源极/漏极区域，形成在外延层的至少一部分中。
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