[发明专利]薄膜形成方法及半导体处理设备

摘要

本发明涉及一种半导体处理用成膜方法，其特征在于：首先，在反应室内装载具有形成有自然氧化膜的被处理面的被处理基板，在该工序中，将上述反应室内的温度设定为低于上述自然氧化膜转变成稳定状态的阈值温度的装载温度。然后，利用蚀刻除去上述被处理面上的上述自然氧化膜，在该工序中，向上述反应室内输入含氯但不含氟的蚀刻气体，设定上述反应室内的蚀刻压力，并将温度设定为低于上述阈值温度的蚀刻温度。然后，清洗上述反应室内部，接着，在上述反应室内，利用CVD在上述被处理面上形成薄膜，在该工序中，向上述反应室内输入成膜气体，并将上述反应室内的温度设定为蚀刻温度。

主权项

1.一种半导体处理用成膜方法，其特征在于，包括：向反应室内装载具有形成有自然氧化膜的被处理面的被处理基板的工序，在此，将所述反应室内设定为比所述自然氧化膜转变成稳定状态的阈值温度低的装载温度；接着，利用蚀刻除去所述被处理面上的所述自然氧化膜的工序，在此，向所述反应室内供给含氯但不含氟的蚀刻气体，并将所述反应室内设定为蚀刻压力以及低于所述阈值温度的蚀刻温度；接着，清洗所述反应室内的工序；和接着，在所述反应室内，利用CVD在所述被处理面上形成薄膜的工序，在此，向所述反应室内供给成膜气体，并将所述反应室内设定为成膜温度。