[发明专利]半导体装置以及升压电路无效
| 申请号： | 200610093224.7 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1905189A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 安食嘉晴 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/00;H02M3/07 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 设置蓄积对应于直流电源(VDD)的电压的电荷的急充电容器(C1～C6)、将急充电容器(C1～C6)与直流电源(VDD)并联连接的开关(SW0～SW5、SW11～SW16)、将并联连接的急充电容器(C1～C6)以及直流电源(VDD)串联连接的开关(SW2～SW6、SW17)，急充电容器(C1～C6)通过具有SOI结构的MOS电容器构成。从而本发明可抑制元件面积的增加，并且减少急充电容器的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 升压 电路 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具备：BOX层，形成在半导体基板上；半导体层，形成在所述BOX层上；多个MOS电容器，形成在所述半导体层中；以及开关元件，形成在所述半导体基板中，将所述MOS电容器并联连接使得直流电压共同施加在所述MOS电容器上，并且进行切换使得所述并联连接的MOS电容器被串联连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
