[发明专利]光半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610093238.9 申请日: 2006-06-23
公开(公告)号: CN1885647A 公开(公告)日: 2006-12-27
发明(设计)人: 中西直树;滨口真一;山本博昭 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01S5/026 分类号: H01S5/026;H01S5/022;H01S5/00;G11B7/125;G11B7/135
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供光半导体器件及其制造方法。该光半导体器件具有:半导体激光元件(8);形成有全息元件(4)的光学模块(3),其中全息元件(4)衍射从半导体激光元件(8)射出并通过棱镜(7)反射的激光;受光元件(9),其接收全息元件(4)衍射的激光并输出电信号;以及封装(2),其容纳半导体激光元件(8)和受光元件(9)。封装(2)在内部具有各自独立的多个空间(12、13),半导体激光元件(8)和受光元件(9)容纳在互不相同的空间中。通过这种结构,可以实现小型、薄型化,且能实现具有高可靠性半导体激光元件元件的光半导体器件。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种光半导体器件,其特征在于具有:激光元件;形成有全息元件的光学模块,该全息元件衍射从所述激光元件射出并被信息介质反射的激光;受光部,接收被所述全息元件衍射的激光并输出电信号;以及封装,容纳所述激光元件和所述受光部;所述封装在内部具有各自独立的多个空间,所述激光元件和所述受光部容纳在互不相同的所述空间中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610093238.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top