[发明专利]半导体集成电路器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200610093253.3 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1885551A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 宋在浩;朴永薰;金银洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体IC器件及其制备方法。该半导体集成电路器件可以包括：第一导电类型的第一、第二和第三深阱，形成在半导体衬底中并且彼此电隔离；第二导电类型的第一阱和第二阱以及有源像素传感器阵列，分别形成在半导体衬底的顶表面和第一、第二和第三深阱之间，并且分别连接到不同的电源电压；以及第一导电类型的第一、第二和第三保护阱，形成在半导体衬底中并且分别围绕第一阱和第二阱和有源像素传感器阵列的侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路器件，包括：第一导电类型的第一、第二和第三深阱，形成在半导体衬底中并且彼此电隔离；第二导电类型的第一阱和第二阱以及有源像素传感器阵列，分别形成在所述半导体衬底的顶表面和所述第一、第二和第三深阱之间，并且分别连接到不同的电源电压；以及所述第一导电类型的第一、第二和第三保护阱，形成在所述半导体衬底中并且分别围绕所述第一阱和第二阱和有源像素传感器阵列的侧表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
