[发明专利]薄膜晶体管及有机发光显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 200610093263.7 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1885527A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 黄义勋;李相杰 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了TFT和采用所述TFT的OLED的制造方法。所述CMOS TFT的制造方法包括：制备具有第一和第二薄膜晶体管区域的基板；在所述基板上形成栅电极；在包括所述栅电极的所述基板的整个表面上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的预定区域上利用掩模形成半导体层；利用所述栅电极对所述掩模的背部曝光；利用受到背部曝光的掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入n型杂质离子，形成沟道区以及源极区和漏极区；对所述背部曝光掩模的两侧进行灰化；利用所述灰化掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入低浓度杂质离子，形成LDD区；以及向所述第二薄膜晶体管区域的半导体层内注入p型杂质离子，形成源极区和漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 有机 发光 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括：制备具有第一和第二薄膜晶体管区域的基板；在所述基板上形成栅电极；在包括所述栅电极的所述基板的整个表面上形成栅极绝缘层；利用掩模在所述栅极绝缘层的预定区域上形成半导体层；利用所述栅电极对所述掩模的背部曝光；利用受到背部曝光的掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入n型杂质离子，形成沟道区以及源极区和漏极区；对所述背部曝光的掩模的两侧进行灰化；利用所述灰化的掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入低浓度杂质离子，形成轻掺杂漏极区；以及向所述第二薄膜晶体管区域的半导体层内注入p型杂质离子，形成源极区和漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
