[发明专利]电光装置和电子设备有效
申请号: | 200610093450.5 | 申请日: | 2000-06-03 |
公开(公告)号: | CN1881609A | 公开(公告)日: | 2006-12-20 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;小山润;山本一宇;小沼利光 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15;H05B33/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的是提供一种EL显示装置,该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面,该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48,以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外,第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧,并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是,第四钝化膜50也具有热辐射作用,以使EL元件203能够被热辐射层包住。 | ||
搜索关键词: | 电光 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种显示器件,包括:基片;基片上形成的半导体膜;半导体膜上形成的第一绝缘膜;第一绝缘膜上形成的栅极;栅极上形成的第二绝缘膜,该第二绝缘膜具有一个接触孔;第二绝缘膜上形成的源极线和漏极线之一,该源极线和漏极线之一穿过所述第二绝缘膜的接触孔与所述半导体膜电连接;形成在源极线和漏极线之一上的第三绝缘膜,包含氮化硅;第三绝缘膜上形成的第四绝缘膜;以及第三绝缘膜上形成的电致发光元件,该电致发光元件包括与第三绝缘膜接触而形成的第一电极、该第一电极上形成的电致发光层、和该电致发光层上形成的第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的