[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法及平板显示器有效
| 申请号： | 200610093471.7 | 申请日： | 2006-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1874023A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 安泽;徐旼彻;牟然坤 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种防止有机半导体层的表面损坏并减小关断电流的有机薄膜晶体管及其制造方法，和一种结合该有机薄膜晶体管的有机发光器件。有机薄膜晶体管包括衬底、在衬底上设置的源和漏电极、接触源和漏电极并包括沟道区的半导体层、在半导体层上设置的且具有与半导体层相同的图形的保护膜，该保护膜包括激光吸收材料、设置在栅和源和漏电极之间的栅绝缘膜、设置在栅绝缘膜上的栅电极、以及在半导体层和保护膜内设置的分离图形，该分离图形适于限定半导体层的沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 及其 制造 方法 平板 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底；在衬底上设置的源和漏电极；接触源和漏电极并包括沟道区的半导体层；设置在半导体层上并具有与半导体层相同的图形的保护膜，该保护膜包含激光吸收材料；在衬底上设置的栅电极；在栅和源和漏电极之间设置的栅绝缘膜；和在半导体层内和保护膜内设置的分离图形，该分离图形适于限定半导体层的沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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