[发明专利]半导体集成电路装置及使用它的电子卡

摘要

提供一种半导体集成电路装置，即使集成电路处于没有连接到接地点和电源的状态，也可保护其集成电路不被损坏。该半导体集成电路装置包括：第1导电类型的第1半导体区域(PSUB)；具有形成在第1半导体区域(PSUB)中的第2导电类型的源/漏区(D)和在源/漏区间的沟道区上通过栅绝缘膜形成的栅电极(G)的晶体管(N1)；电连接到晶体管的漏区(D)的输出端子(PAD)；邻接晶体管(N1)的源/漏区(D)且在第1半导体区域(PSUB)中形成的第2导电类型的第2半导体区域(DN)，所述第2半导体区域连接到晶体管(N1)的栅电极(G)。

主权项

1.一种半导体集成电路装置，包括：第1导电类型的半导体区域；形成在所述第1导电类型的半导体区域中，具有连接到输出端子的第2导电类型的源/漏区的第1绝缘栅型场效应晶体管；形成在所述第1导电类型的半导体区域中，具有连接到所述第1绝缘栅型场效应晶体管的栅极上的第2导电类型的源/漏区，驱动所述第1绝缘栅型场效应晶体管的第2绝缘栅型场效应晶体管；以及形成在所述第1导电类型的半导体区域中，具有自身的栅极被短路的源/漏区和连接到所述第1绝缘栅型场效应晶体管的栅极的源/漏区的第3绝缘栅型场效应晶体管；其特征在于，从所述第1绝缘栅型场效应晶体管的所述源/漏区至所述第3绝缘栅型场效应晶体管的连接到所述第1绝缘栅型场效应晶体管的栅极的源/漏区的距离比从所述第1绝缘栅型场效应晶体管的所述源/漏区至所述第2绝缘栅型场效应晶体管的所述源/漏区的距离短。