[发明专利]存储单元阵列及其形成方法

摘要

一种存储单元阵列包含具有存储电容器与存取晶体管的存储单元。该存取晶体管形成于有源区中。该存储单元阵列进一步包含定向于第一方向的位线以及定向于第二方向的字线。该有源区在该第二方向上延伸。该晶体管的每个栅电极的底侧被配置于每个字线的底侧之下。此外，该字线被配置于该位线之上。

主权项

1.一种存储单元阵列，包括：多个存储单元，每个存储单元包含存储电容器与存取晶体管；多个位线，其被定向于第一方向；多个字线，其被定向于第二方向，该第二方向与该第一方向垂直；半导体衬底，其具有表面以及在其上形成的多个有源区线，每个有源区在该第二方向上延伸；多个存取晶体管，其部分地形成于该有源区线中，并将对应存储电容器电耦合至对应位线，每个晶体管包括：第一源极/漏极区域，其与该存储电容器的电极连接；第二源极/漏极区域，其邻近于该衬底表面；沟道区域，其连接该第一与第二源极/漏极区域，该沟道区域被配置于该有源区中，以及栅电极，其沿着该沟道区域而配置，该栅电极控制在该第一与第二源极/漏极区域之间流动的电流，该栅电极与字线之一连接，其中每个栅电极包含底侧，每个字线包含底侧，该栅电极的底侧被配置于该字线的底侧之下，且该字线被配置于该位线之上。