[发明专利]有机半导体装置及其制造方法、电子器件和电子设备

摘要

本发明提供一种容易制造并得到工作速度快的有机半导体装置及其制造方法、工作速度快的有机半导体装置、可靠性高的电子器件。具有栅电极(50)、源电极(20a)、漏极(20b)、有机半导体层(30)、将与栅电极(50)相对应的源电极(20a)和漏极(20b)进行绝缘的栅极绝缘层(40)、支承它们的基板(500)的有源矩阵装置(有机半导体装置)的制造方法中，在形成有机半导体层(30)之前，在基板(500)上主要用具有液晶性核心的有机高分子材料构成，形成在规定方向上取向的缓冲层(基底层)(60)，此后，通过形成有机半导体层(30)，使有机半导体层(30)沿着缓冲层(60)取向方向取向。

主权项

1、一种有机半导体装置的制造方法，该有机半导体装置具有栅电极、源电极、漏极、有机半导体层、相对所述栅电极将所述源电极和所述漏极进行绝缘的栅极绝缘层、以及支承它们的基板，其特征在于：在形成所述有机半导体层之前，在所述基板上形成基底层，该基底层含有具有液晶性核心的有机高分子材料并以规定方向取向，此后，通过形成所述有机半导体层，将该有机半导体层沿着所述基底层的取向方向取向。