[发明专利]一定缺陷特性的半导体硅晶片的制法以及具有该特性的半导体硅晶片有效
| 申请号： | 200610093779.1 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1896339A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 维尔弗里德·冯·阿蒙;瓦尔特·黑克尔;安德烈亚斯·胡贝尔;乌尔里希·兰贝特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造半导体硅晶片的方法，其中根据Czochralski法拉伸硅单晶，并将其加工成半导体晶片，在拉伸单晶期间控制拉伸速率V与生长前沿处的轴向温度梯度G的比例V/G，从而在该单晶内形成尺寸超过临界尺寸的聚集的空位缺陷，在制造该元件过程中，在对电子元件具有重要意义的半导体晶片的区域内，使该聚集的空位缺陷收缩，从而使该区域内的尺寸不再超过所述临界尺寸。本发明还涉及半导体硅晶片，其在对电子元件具有重要意义的区域内具有聚集的空位缺陷，其中该聚集的空位缺陷具有至少部分不含氧化物层的内表面，而该聚集的空位缺陷的尺寸小于50纳米。 | ||
| 搜索关键词： | 一定 缺陷 特性 半导体 晶片 制法 以及 具有 | ||
【主权项】：
1、用于制造半导体硅晶片的方法，其中根据Czochralski法拉伸硅单晶，并将其加工成半导体晶片，在拉伸该单晶期间控制拉伸速率V与生长前沿处的轴向温度梯度G的比例V/G，从而在该单晶内形成尺寸超过临界尺寸的聚集的空位缺陷，在制造该元件过程中，在对电子元件具有重要意义的半导体晶片的区域内，使该聚集的空位缺陷收缩，从而使该区域内的尺寸不再超过所述临界尺寸。
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