[发明专利]形成半导体装置的方法有效
| 申请号： | 200610093806.5 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101022084A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 陈豪育;郑水明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体装置的方法，包括以下步骤：在一基板上形成一栅极；在该栅极对应侧的基板内形成多个凹口；在该基板的所述凹口内形成一扩散阻障层；以及在所述凹口内形成源极/漏极区。本发明提供了具有设置在源极/漏极区内的半导体合金，并可降低或避免掺杂物质扩散进入沟道区的情况发生。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置的方法，包括下列步骤：在一基板上形成一栅极；在该栅极对应侧的基板内形成多个凹口；在该基板的所述凹口内形成一扩散阻障层；以及
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
