[发明专利]异质结双极晶体管及制造方法无效
| 申请号： | 200610093821.X | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1885555A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 村山启一;田村彰良 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供加工性优良、且不增大导通电阻(Ron)的高性能的异质结双极晶体管及其制造方法。异质结双极晶体管，在由n型GaAs构成的辅助集电极层和由浓度比辅助集电极层低的n型GaAs构成的第2集电极层之间形成第1集电极层，该第1集电极层对于在第2集电极层的蚀刻工序中使用的蚀刻液具有耐性、且在与第2集电极层的接合处不妨碍电子的传导。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极晶体管，其特征在于：在由n型GaAs构成的辅助集电极层和由浓度比上述辅助集电极层低的n型GaAs构成的集电极层之间形成半导体层，该半导体层对于在上述集电极层的蚀刻工序中使用的蚀刻液具有耐性、且在与上述集电极层的接合处不妨碍电子的传导。
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