[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610093872.2 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1909243A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 平濑顺司;濑部绍夫;粉谷直树;冈崎玄;相田和彦;竹冈慎治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在使用了高介电常数栅极绝缘膜的MISFET中，在不使高介电常数栅极绝缘膜劣化的情况下，提高MISFET的特性。夹着高介电常数栅极绝缘膜4A在衬底1的活性区域上形成有栅极电极5。在栅极电极5的侧面形成有绝缘性侧壁7。高介电常数栅极绝缘膜4A从栅极电极5的下侧连续形成到侧壁7的下侧。高介电常数栅极绝缘膜4A中的侧壁7的下侧区域的厚度小于高介电常数栅极绝缘膜4A中的栅极电极5的下侧区域的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于：包括：高介电常数栅极绝缘膜，形成在衬底的活性区域上，栅极电极，形成在上述高介电常数栅极绝缘膜上，以及绝缘性侧壁，形成在上述栅极电极的侧面；上述高介电常数栅极绝缘膜从上述栅极电极的下侧一直连续形成到上述绝缘性侧壁的下侧；上述高介电常数栅极绝缘膜中的上述绝缘性侧壁的下侧区域的至少一部分厚度，小于上述高介电常数栅极绝缘膜中的上述栅极电极的下侧区域的厚度。
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