[发明专利]制造一种非易失性存储元件的方法有效
| 申请号： | 200610093880.7 | 申请日： | 2006-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1917186A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;施彦豪;吕函庭;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明在此描述一种制造非易失性半导体存储元件的方法，包含不用额外的掩膜来形成子栅极。在此存储元件的主栅极之上形成金属硅化物可以提供较低的字线电阻值。在操作时，施加电压至子栅极可以形成一作为位线的瞬态反转层，以消除形成位线所需的离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 一种 非易失性 存储 元件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造非易失性存储元件的方法，包含：提供衬底，其上有电荷捕捉堆叠以及第一多晶硅层；选择性地图案化该电荷捕捉堆叠以及该第一多晶硅层以裸露出该衬底并形成栅极结构；形成绝缘层以及第二多晶硅层于裸露出的衬底上；选择性地图案化该第二多晶硅层以形成子栅极结构；形成第三多晶硅层于该栅极结构和该子栅极结构上；形成金属硅化物层于该第三多晶硅层上；以及选择性地图案化该金属硅化物层、该第一多晶硅层和该第三多晶硅层以形成复数个字线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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