[发明专利]半导体组件、封环结构及其形成方法有效
申请号: | 200610094034.7 | 申请日: | 2006-06-20 |
公开(公告)号: | CN101000909A | 公开(公告)日: | 2007-07-18 |
发明(设计)人: | 杨肇祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/00;H01L21/82 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体组件、封环结构及其形成方法,该封环结构介于集成电路与切割道之间。在一实施例中,封环结构包括基板;多层金属导线,位于基板上;多个导孔插塞,贯穿金属导线之间的介电层,并电连接金属导线;第一保护层,位于金属导线上,且具有开口以暴露部分最上层的金属导线;单个或多个金属焊垫,紧贴第一保护层的开口;以及第二保护层,位于第一保护层上并封住金属焊垫,且在最上层金属导线上或介电层上具有沟槽。本发明提供的封环结构可有效解决切割晶片时产生的应力问题,避免应力损伤芯片的集成电路同时提高合格率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 组件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种封环结构,其介于集成电路区与切割道之间,包括:一基板;多个金属导线,位于该基板上;多个导孔插塞,贯穿所述多个金属导线之间的多个介电层,其中所述多个导孔插塞电连接所述多个金属导线;一第一保护层,位于所述金属导线上,该保护层具有一开口,暴露出部分的最上层的金属导线;单数或多个金属焊垫,紧贴该第一保护层的该开口;以及一第二保护层,位于该第一保护层上并封住所述金属焊垫,且在最上层的该金属导线上或介电层上具有一沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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