[发明专利]半导体组件、封环结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 200610094034.7 申请日: 2006-06-20
公开(公告)号: CN101000909A 公开(公告)日: 2007-07-18
发明(设计)人: 杨肇祥 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/00;H01L21/82
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体组件、封环结构及其形成方法,该封环结构介于集成电路与切割道之间。在一实施例中,封环结构包括基板;多层金属导线,位于基板上;多个导孔插塞,贯穿金属导线之间的介电层,并电连接金属导线;第一保护层,位于金属导线上,且具有开口以暴露部分最上层的金属导线;单个或多个金属焊垫,紧贴第一保护层的开口;以及第二保护层,位于第一保护层上并封住金属焊垫,且在最上层金属导线上或介电层上具有沟槽。本发明提供的封环结构可有效解决切割晶片时产生的应力问题,避免应力损伤芯片的集成电路同时提高合格率。
搜索关键词: 半导体 组件 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种封环结构,其介于集成电路区与切割道之间,包括:一基板;多个金属导线,位于该基板上;多个导孔插塞,贯穿所述多个金属导线之间的多个介电层,其中所述多个导孔插塞电连接所述多个金属导线;一第一保护层,位于所述金属导线上,该保护层具有一开口,暴露出部分的最上层的金属导线;单数或多个金属焊垫,紧贴该第一保护层的该开口;以及一第二保护层,位于该第一保护层上并封住所述金属焊垫,且在最上层的该金属导线上或介电层上具有一沟槽。
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