[发明专利]绝缘栅型半导体装置、制造方法及保护电路无效
| 申请号： | 200610094045.5 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1885561A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 石田裕康;万代忠男;牛田敦也;斋藤洋明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/02;H02H9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法以及保护电路，在现有结构中，源极区域及体区域(背栅区域)与共同的源极电极接触，不能分别控制源极区域和背栅区域的电位。因此，在将这种MOSFET用于双向转换元件时，将两个MOSFET串联连接，由控制电路进行MOSFET的导通截止及寄生二极管的控制，阻碍了装置的小型化。设置与源极区域接触的第一电极层和与体区域(背栅)接触的第二电极层。第一电极层和第二电极层绝缘，分别沿与沟槽的延伸方向不同的方向延伸。可对第一电极层和第二电极层分别施加电位，进行防止因寄生二极管造成的逆流的控制。因此，可由一个MOSFET实现双向的转换元件。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 装置 制造 方法 保护 电路 | ||
【主权项】：
1、一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于，具有：漏极区域，其在一导电型半导体衬底上层积有一导电型半导体层；反向导电型沟道层，其设于所述半导体层表面；沟槽，其在所述半导体层表面沿第一方向延伸，具有贯通沟道层的深度；栅极绝缘膜，其设于该沟槽的内壁；栅极电极，其被埋入所述沟槽内；一导电型源极区域，其与所述沟槽相邻，设于所述沟道层表面；反向导电型体区域，其与所述沟槽及所述源极区域相邻，设于所述沟道层表面；第一电极层，其设于所述源极区域上，在所述半导体层表面沿第二方向延伸；第二电极层，其设于所述体区域上，在所述半导体层表面沿第二方向延伸。
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