[发明专利]制造电子元件的方法以及电子元件有效
| 申请号： | 200610094055.9 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1885554A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | H·费克;P·里斯;M·温德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L23/60;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢江;魏军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在用于制造电子元件的方法中通过引入掺杂原子来对衬底进行掺杂。在掺杂衬底中借助利用掺杂原子的掺杂来构造电子元件的至少一个连接区。此外，至少在至少一个连接区的下面借助利用掺杂原子的掺杂来构造至少一个附加的掺杂区。此外，在所述衬底中借助利用掺杂原子的掺杂形成至少一个阱区，这样使得至少在至少一个附加的掺杂区的下面阻止阱区掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电子元件 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.用于制造电子元件的方法，具有：●借助引入掺杂原子来对衬底进行掺杂；●在所述衬底中借助利用掺杂原子的掺杂来构造电子元件的至少一个连接区；●至少在所述至少一个连接区的下面借助利用掺杂原子的掺杂来构造至少一个附加的掺杂区，其中所述至少一个附加的掺杂区被构造为ESD区，所述ESD区用于防止静电产生的放电；●在所述衬底中借助利用掺杂原子的掺杂来构造至少一个阱区，其中至少在所述至少一个附加的掺杂区的下面阻止阱区掺杂，这样使得每个被阻止阱区掺杂的区域中的掺杂浓度在所述方法结束时对应于所述衬底的掺杂浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份公司，未经英飞凌科技股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610094055.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：打印机光源装置
- 下一篇：一种光学视觉效应测试装置及测试方法
- 同类专利
- 专利分类
