[发明专利]半导体器件以及熔丝的熔断方法无效
| 申请号： | 200610094078.X | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1885538A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 河野和史;岩本猛;米津俊明 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L23/525 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有能够降低熔断电流地经过了最佳化的电流熔断熔丝的半导体器件以及熔丝的熔断方法。熔丝(FS2)中以熔丝部(FP1)的折回方向成为和焊盘(PD)的排列方向平行的方式设置熔丝部(FP1)。在此，焊盘(PD)和熔丝部(FP1)的距离用与焊盘(PD)的熔丝部(FP1)相对一侧的边，和与该边相对的最接近的熔丝部(FP1)的距离定义，熔丝部(FP1)的折回部(RP)和最接近的焊盘(PD)的距离(D1)成为焊盘(PD)和熔丝部(FP1)的距离，焊盘(PD)和熔丝部(FP1)之间隔开大于等于10条熔丝的宽度的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 熔断 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，具有半导体衬底和利用电流熔断的熔丝，上述熔丝具有：熔丝布线在与上述半导体衬底的主面平行的平面内折回成为S形状的熔丝部；和分别与上述熔丝部的两端部连接，一边的长度比上述熔丝布线的宽度还大的矩形的2个焊盘，上述2个焊盘各自设置成与上述熔丝部之间隔开大于等于10条的上述熔丝布线的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技，未经株式会社瑞萨科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610094078.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
