[发明专利]非易失性存储器的操作方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器的操作方法，适用于操作一存储单元，此存储单元包括设置于基底中的源极与漏极；设置于源极与漏极之间的基底上的堆叠栅极结构，堆叠栅极结构由下而上包括浮置栅极与控制栅极；以及设置于堆叠栅极结构侧壁的选择栅极，此选择栅极位于堆叠栅极结构与漏极之间的基底上。这个操作方法例如是在进行编程操作时，于控制栅极施加第一正电压，于漏极施加第二正电压，于选择栅极施加第一负电压，于基底施加第二负电压，并且使源极浮置，以利用沟道启始二次电子注入效应，将电子注入浮置栅极中。

主权项

1、一种非易失性存储器的操作方法，适用于操作存储单元，所述存储单元包括设置于基底中的源极与漏极；堆叠栅极结构，设置于所述源极与所述漏极之间的所述基底上，所述堆叠栅极结构由下而上包括浮置栅极与控制栅极；选择栅极，设置于所述堆叠栅极结构与所述漏极之间的所述基底上，且位于所述堆叠栅极结构的侧壁，所述操作方法包括：进行编程操作时，于所述控制栅极施加第一正电压，于所述漏极施加第二正电压，于所述选择栅极施加第一负电压，使所述选择栅极下方的沟道关闭，于所述基底施加第二负电压，并且使所述源极浮置，以利用二次电子注入效应，将电子注入所述浮置栅极中。