[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610094110.4 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1941420A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 大竹诚治;神田良;菊地修一 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，由于硅表面的结晶缺陷等原因而存在齐纳二极管特性波动的问题。本发明的半导体装置在P型单晶硅衬底(2)上形成N型外延层(4)。在外延层(4)上形成作为阳极区域的P型扩散层(5、6、7、8)以及作为阴极区域的N型扩散层(9)。通过P型扩散层(8)和N型扩散层(9)的PN结区域，构成齐纳二极管(1)。通过该结构，电流路径成为外延层(4)深部，可防止由于外延层(4)表面的结晶缺陷等而引起的齐纳二极管(1)的饱和电压波动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有半导体层、形成于所述半导体层上的阳极扩散层和阴极扩散层、形成于所述半导体层上面的绝缘层以及形成于所述绝缘层上的接触孔，其特征在于，所述阳极扩散层在所述阴极扩散层的底面的凹陷区域以及其附近区域具有高杂质浓度区域。
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