[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610094166.X | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1893113A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 潘商铉 | 申请（专利权）人： | 东部电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李涛;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：形成在衬底上的合金层；以预定间隔形成在该合金层上的栅极、源极、和漏极；形成在栅极区内的栅极绝缘层；形成在包括源极和漏极的衬底上的第一导电层；以及顺序层叠在第一导电层上的第二导电层和金属硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成在衬底上的合金层；以预定间隔形成在该合金层上的栅极、源极、和漏极；形成在栅极区内的栅极绝缘层；形成在包括源极和漏极的衬底上的第一导电层；以及顺序层叠在第一导电层上的第二导电层和金属硅化物层。
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