[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610094174.4 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1925168A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 大竹诚治;神田良;菊地修一 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。以往的半导体装置中，例如MOS晶体管中，由于背栅区域的杂质浓度以及其扩散形状的不同，而产生寄生晶体管容易动作的问题。本发明的半导体装置，例如是MOS晶体管，其在N型外延层(4)上形成作为背栅区域的P型扩散层(5)以及作为漏极区域的N型扩散层(8)。在P型扩散层(5)上形成有作为源极区域的N型扩散层(7)和P型扩散层(6)。P型扩散层(6)与接触孔15的形状配合，通过两次离子注入工序形成，调制其表面部和深部的杂质浓度。通过该结构，能够缩小器件尺寸，抑制寄生NPN晶体管动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有：半导体层；形成于所述半导体层上的漏极区域、源极区域以及背栅区域；形成于所述半导体层上面的栅极氧化膜；形成于所述栅极氧化膜上的栅极电极；形成于所述半导体层上面的绝缘层；形成于所述漏极区域、所述源极区域或所述栅极电极上的所述绝缘层上的接触孔，其特征在于，在所述背栅区域形成背栅引出区域，所述背栅引出区域一直形成到所述源极区域的深部，并且，位于所述源极区域的深部的所述背栅引出区域至少形成在所述源极区域上的所述接触孔的整个开口区域。
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