[发明专利]显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610094384.3 | 申请日： | 2002-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1881617A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 田边英夫;下村繁雄;大仓理;栗田雅章;木村泰一;中村孝雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：绝缘基体；形成在上述基体上的半导体层，包括沟道区、源区和漏区；形成在上述沟道区、源区和漏区上的绝缘膜；和形成在上述绝缘膜上的栅电极，其中，在上述沟道区和上述源区之间、或者在上述沟道区和上述漏区之间至少形成有一个LDD区；并且上述绝缘膜在上述沟道区上具有第一厚度，在上述LDD区上具有第二厚度，在上述源区或漏区上具有第三厚度，且上述第一厚度大于上述第二厚度，上述第二厚度大于上述第三厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，包括：绝缘基体；形成在上述基体上的半导体层，包括沟道区、源区和漏区；形成在上述沟道区、源区和漏区上的绝缘膜；和形成在上述绝缘膜上的栅电极，其中，在上述沟道区和上述源区之间、或者在上述沟道区和上述漏区之间至少形成有一个LDD区；并且上述绝缘膜在上述沟道区上具有第一厚度，在上述LDD区上具有第二厚度，在上述源区或漏区上具有第三厚度，且上述第一厚度大于上述第二厚度，上述第二厚度大于上述第三厚度。
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