[发明专利]系统芯片结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200610094514.3 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101086990A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 陈荣庆;董明宗 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/822;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种系统芯片的半导体结构，包括一基底、一低压元件、一中压元件、至少一高压元件与多个隔离结构。基底具有低压电路区与高压电路区。低压元件与中压元件配置于低压电路区的基底上。高压元件配置于高压电路区的基底上。隔离结构配置于基底中，用以隔离低压元件、中压元件与高压元件。 | ||
| 搜索关键词： | 系统 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种系统芯片的半导体结构，包括：基底，具有低压电路区与高压电路区；低压元件，配置于该低压电路区的该基底上；中压元件，配置于该低压电路区的该基底上；至少一高压元件，配置于该高压电路区的该基底上；以及多个隔离结构，配置于该基底中，用以隔离该低压元件、该中压元件与该至少一高压元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610094514.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：天然粬酿酒方法及酿造的特色酒
- 下一篇：电流控制驱动器及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
