[发明专利]薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200610094526.6 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1866543A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张志雄;翁健森;许建宙;彭佳添;李振岳 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括：基板；多晶硅层，位于该基板上；栅极绝缘层，覆盖该多晶硅层；栅极；层间介电层，覆盖该栅极与该栅极绝缘层；以及源极以及漏极位于该层间介电层上。尤其是，该栅极包括：第一电极层，位于该栅极绝缘层上；以及第二电极层，位于该第一电极层上并大体全面覆盖该第一电极层的上表面，其中该第一电极层以及该第二电极层具有大体相同的倾斜角度(taper angle)，该倾斜角度约小于90度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：基板；多晶硅层，位于该基板上，其中该多晶硅层具有沟道区域、源极区域以及漏极区域，该沟道区域位于该源极区域以及该漏极区域之间；栅极绝缘层，覆盖该多晶硅层；栅极，位于该栅极绝缘层上并对应该沟道区域，该栅极包括：第一电极层，位于该栅极绝缘层上；以及第二电极层，位于该第一电极层上并大体全面覆盖该第一电极层的上表面，其中该第一电极层以及该第二电极层具有大体相同的倾斜角度，该倾斜角度约小于90度；层间介电层，覆盖该栅极与该栅极绝缘层；以及源极以及漏极，位于该层间介电层上并分别与该源极区域以及该漏极区域电连接。
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